專利大戰(zhàn)小勝一場(chǎng)！300億半導(dǎo)體巨頭英諾賽科在反訴英飛凌案件中，獲得管轄權(quán)勝訴！
據(jù)多家權(quán)威媒體報(bào)道，在與國(guó)際巨頭英飛凌的專利大戰(zhàn)中，我國(guó)第三代半導(dǎo)體企業(yè)英諾賽科（02577.HK）小勝一局，獲得管轄權(quán)勝訴。法院終審裁定，駁回英飛凌中國(guó)公司及無(wú)錫公司提出的管轄權(quán)異議上訴，確認(rèn)蘇州市中級(jí)人民法院對(duì)案件的管轄權(quán)。
據(jù)了解，此次裁定是源于今年一月份，英諾賽科向英飛凌發(fā)起的一起專利訴訟。
2025年1月16日，英諾賽科發(fā)布公告稱，公司及其全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（英諾蘇州）向中國(guó)江蘇省蘇州市中級(jí)人民法院提起訴訟，指控英飛凌科技（中國(guó)）有限公司（被告一）、英飛凌科技（無(wú)錫）有限公司（被告二）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（被告三）侵犯其兩項(xiàng)專利，兩項(xiàng)專利的專利號(hào)分別為：202311774650.7、202211387983.X。
英諾賽科表示，涉案專利分別涉及一種氮化鎵(GaN)功率器件及其制備方法，以及一種氮化物基半導(dǎo)體器件及其制造方法。根據(jù)起訴狀，被告二是被告一的全資控股子公司，并為英飛凌中文網(wǎng)站的備案主體。該網(wǎng)站向中國(guó)的潛在客戶展示、宣傳及許諾銷售多種型號(hào)的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件（「涉案侵權(quán)產(chǎn)品」）；被告一是涉案侵權(quán)產(chǎn)品的進(jìn)口商和總經(jīng)銷商；根據(jù)英飛凌中文網(wǎng)站，被告三是被告一、被告二于中國(guó)的增值分銷商。
經(jīng)技術(shù)比對(duì)，英諾賽科認(rèn)為涉案侵權(quán)產(chǎn)品落入涉案專利的保護(hù)范圍，三被告未經(jīng)原告允許實(shí)施了許諾銷售、銷售、進(jìn)口涉案侵權(quán)產(chǎn)品的行為，構(gòu)成對(duì)涉案專利的侵害，依法應(yīng)當(dāng)承擔(dān)相應(yīng)的法律責(zé)任，包括停止侵權(quán)行為及承擔(dān)賠償責(zé)任。
實(shí)際上，英諾賽科此次起訴英飛凌，是對(duì)英飛凌的一次反訴，英飛凌早就在美國(guó)、德國(guó)等地，對(duì)英諾賽科提起了訴訟。
據(jù)英飛凌官網(wǎng)信息，早在2024年3月14日，英飛凌已在美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院對(duì)英諾賽科提起了專利侵權(quán)訴訟，并于2024年6月4日向德國(guó)慕尼黑地方法院提起相應(yīng)訴訟，同時(shí)對(duì)英諾賽科德國(guó)分銷商提起了其他訴訟。
2024年7月23日，英飛凌在美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院，對(duì)英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國(guó)公司及其關(guān)聯(lián)公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上，追加了新的訴訟請(qǐng)求，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的專利。
此外，英飛凌還在2024年7月26日，向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（USITC）起訴，就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出法律索賠。
英諾賽科簡(jiǎn)介：
英諾賽科官網(wǎng)顯示，公司是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。
截至2025年5月9日收盤(pán)，英諾賽科市值為331億港幣，約合人民幣307億元。
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